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消息称三星电子 3nm、2nm 良率超 60%

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Galaxy S24

2025-05-14 21:05

IT之家 5 月 13 日消息，韩媒《朝鲜日报》当地时间今日报道称，三星电子基于 GAA 晶体管结构的 3nm 和 2nm 节点良率分别超过了 60% 和 40%，在工艺良率有起色的背景下三星正努力争夺先进制程订单。三星电子虽然在业界率先导入了 GAA 技术，但其两大 GAA 节点 3nm 和 2nm 持续面临性能和良率两方面的问题，鲜有外部客户下单。如果 3nm 的良率确实已在测试芯片中达到了 60%，那对三星而言无疑是个重大利好，显示该制程距离大规模量产更近了一步。
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